CSD13303W1015

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型号	CSD13303W1015
制造商	N/A
描述	12-V, N channel NexFET? power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 20 mOhm 6-DSBGA -55 to 150
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 33573 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.216	$0.195	$0.176	$0.172

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	1.2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±8V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	6-DSBGA
系列:	NexFET™
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.65W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	6-UFBGA, DSBGA
其他名称:	296-39990-2 CSD13303W1015-ND
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
制造商标准交货期:	35 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	715pF @ 6V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	4.7nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	2.5V, 4.5V
漏极至源极电压（Vdss）:	12V
详细说明:	N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
电流 - 25°C连续排水（Id）:	31A (Ta)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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