BSS8402DW-7
Diodes Incorporated
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| 型号 | BSS8402DW-7 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -115mA; 13.5ohm; 200mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT363(SC88) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.215 | $0.194 | $0.175 | $0.171 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | SOT-363 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| 功率 - 最大: | 200mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 其他名称: | BSS8402DWDITR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 50pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | - |
| FET型: | N and P-Channel |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 60V, 50V |
| 详细说明: | Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 115mA, 130mA |
| 基础部件号: | BSS8402DW |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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BSS8402DW-7-F | Diodes Inc. | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -115mA; 13.5ohm; 200mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT363(SC88) | 在线询价 |
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