BSP135 E6327

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP135 E6327
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型号 BSP135 E6327
制造商 Infineon
描述 Mosfet N-ch 600V 120MA SOT-223
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
有现货 32601 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.691$0.624$0.563$0.551
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1V @ 94µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PG-SOT223-4
系列:SIPMOS®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:45 Ohm @ 120mA, 10V
功率耗散(最大):1.8W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-261-4, TO-261AA
其他名称:BSP135 E6327-ND
BSP135E6327
BSP135E6327T
SP000011103
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:146pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:4.9nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特点:Depletion Mode
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):0V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
电流 - 25°C连续排水(Id):120mA (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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