BSO615NGHUMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | BSO615NGHUMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.466 | |||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
| 系列: | SIPMOS® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称: | BSO615N G BSO615N G-ND BSO615NG BSO615NGHUMA1TR BSO615NGINTR-ND BSO615NGT BSO615NGXT BSO615NT BSO615NXTINTR BSO615NXTINTR-ND SP000216316 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 380pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 60V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 2.6A |
| 基础部件号: | BSO615 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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