BSM300D12P2E001

LAPIS Semiconductor

BSM300D12P2E001
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型号 BSM300D12P2E001
制造商 LAPIS Semiconductor
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 300A
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 68mA
供应商设备封装:Module
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:-
功率 - 最大:1875W
封装:Tray
封装/箱体:Module
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:32 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:35000pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:-
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点:Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss):1200V (1.2kV)
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module
电流 - 25°C连续排水(Id):300A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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