BSB165N15NZ3GXUMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSB165N15NZ3GXUMA1
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型号 BSB165N15NZ3GXUMA1
制造商 International Rectifier (Infineon Technologies)
描述 MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 110µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:MG-WDSON-2, CanPAK M™
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:16.5 mOhm @ 30A, 10V
功率耗散(最大):2.8W (Ta), 78W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:3-WDSON
其他名称:BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G-ND
BSB165N15NZ3 GTR-ND
BSB165N15NZ3G
BSB165N15NZ3GXUMA1TR
SP000617000
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2800pF @ 75V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):8V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):150V
详细说明:N-Channel 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
电流 - 25°C连续排水(Id):9A (Ta), 45A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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