APTMC120HM17CT3AG

Microsemi

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型号 APTMC120HM17CT3AG
制造商 Microsemi
描述 POWER MODULE - SIC MOSFET
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 30mA
供应商设备封装:SP3
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:17 mOhm @ 100A, 20V
功率 - 最大:750W
封装/箱体:Module
工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5576pF @ 1000V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:332nC @ 5V
FET型:4 N-Channel
FET特点:Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss):1200V (1.2kV)
详细说明:Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3
电流 - 25°C连续排水(Id):147A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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