APTGTQ100DA65T1G

Microsemi

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型号 APTGTQ100DA65T1G
制造商 Microsemi
描述 POWER MODULE - IGBT
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.2V @ 15V, 100A
供应商设备封装:SP1
系列:-
功率 - 最大:250W
封装/箱体:Module
工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC热敏电阻:Yes
安装类型:Chassis Mount
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(连锁商店)@的Vce:6nF @ 25V
输入:Standard
IGBT类型:-
详细说明:IGBT Module Boost Chopper 650V 100A 250W Chassis Mount SP1
电流 - 集电极截止(最大):100µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100A
组态:Boost Chopper
Email:info@cjjhk.com

介绍

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