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APT70GR65B2SCD30

Microsemi

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型号 APT70GR65B2SCD30
制造商 Microsemi
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.4V @ 15V, 70A
测试条件:433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:19ns/170ns
供应商设备封装:T-MAX™ [B2]
系列:*
功率 - 最大:595W
封装:Bulk
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
IGBT类型:NPT
栅极电荷:305nC
详细说明:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
电流 - 集电极脉冲（ICM）:260A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:134A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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