APT35GP120J

Microsemi

APT35GP120J
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型号 APT35GP120J
制造商 Microsemi
描述 IGBT 1200V 64A 284W SOT227
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 14 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs10 pcs
$38.62$35.721
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合计:
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:3.9V @ 15V, 35A
供应商设备封装:ISOTOP®
系列:POWER MOS 7®
功率 - 最大:284W
封装/箱体:ISOTOP
其他名称:APT35GP120JMI
APT35GP120JMI-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC热敏电阻:No
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(连锁商店)@的Vce:3.24nF @ 25V
输入:Standard
IGBT类型:PT
详细说明:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP®
电流 - 集电极截止(最大):250µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):64A
组态:Single
Email:info@cjjhk.com

介绍

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