APT29F80J

Microsemi

APT29F80J
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型号 APT29F80J
制造商 Microsemi
描述 MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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20 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 2.5mA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:ISOTOP®
系列:POWER MOS 8™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:210 mOhm @ 24A, 10V
功率耗散(最大):543W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:SOT-227-4, miniBLOC
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:21 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:9326pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:303nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
详细说明:N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
电流 - 25°C连续排水(Id):31A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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