APT18M100B
Microsemi
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| 型号 | APT18M100B |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $13.20 | $10.821 | $9.765 | $8.182 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-247 [B] |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 700 mOhm @ 9A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 625W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-247-3 |
| 其他名称: | APT18M100BMI APT18M100BMI-ND |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 17 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 4845pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 1000V |
| 详细说明: | N-Channel 1000V 18A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 18A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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