APT15GP60BDQ1G

Microsemi

APT15GP60BDQ1G
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型号 APT15GP60BDQ1G
制造商 Microsemi
描述 IGBT 600V 56A 250W TO247
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 15A
测试条件:400V, 15A, 5 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:8ns/29ns
开关能量:130µJ (on), 120µJ (off)
供应商设备封装:TO-247 [B]
系列:POWER MOS 7®
功率 - 最大:250W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
其他名称:APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:PT
栅极电荷:55nC
详细说明:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
电流 - 集电极脉冲(ICM):65A
电流 - 集电极(Ic)(最大):56A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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