APT13003LZTR-G1

Diodes Incorporated

APT13003LZTR-G1
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型号 APT13003LZTR-G1
制造商 Diodes Inc.
描述 450V 800mA NPN Power Transistor TO92
无铅状态/ RoHS状态 含铅/符合RoHS
有现货 46469 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):450V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:500mV @ 40mA, 200mA
晶体管类型:NPN
供应商设备封装:TO-92
系列:-
功率 - 最大:800mW
封装:Tape & Box (TB)
封装/箱体:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
其他名称:APT13003LZTR-G1DI
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:24 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:6 @ 300mA, 10V
电流 - 集电极截止(最大):-
电流 - 集电极(Ic)(最大):800mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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