APT100GT120JR

Microsemi

APT100GT120JR
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型号 APT100GT120JR
制造商 Microsemi
描述 IGBT 1200V 123A 570W SOT227
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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20 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:3.7V @ 15V, 100A
供应商设备封装:ISOTOP®
系列:Thunderbolt IGBT®
功率 - 最大:570W
封装/箱体:SOT-227-4, miniBLOC
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC热敏电阻:No
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:18 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(连锁商店)@的Vce:6.7nF @ 25V
输入:Standard
IGBT类型:NPT
详细说明:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
电流 - 集电极截止(最大):100µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):123A
组态:Single
Email:info@cjjhk.com

介绍

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