3SK263-5-TG-E
onsemi
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| 型号 | 3SK263-5-TG-E |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | N-Channnel Dual Gate MOSFET, 15V, 30mA, PG=21dB, NF=1.1dB, CP4 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.069 | $0.062 | $0.056 | $0.055 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 测试: | 6V |
|---|---|
| 电压 - 额定: | 15V |
| 晶体管类型: | N-Channel Dual Gate |
| 供应商设备封装: | 4-CP |
| 系列: | - |
| 功率输出: | - |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-253-4, TO-253AA |
| 其他名称: | 3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR |
| 噪声系数: | 2.2dB |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 获得: | 21dB |
| 频率: | 200MHz |
| 详细说明: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP |
| 目前评级: | 30mA |
| 电流 - 测试: | 10mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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