2N5015
Microsemi
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产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 1000V |
|---|---|
| 晶体管类型: | NPN |
| 供应商设备封装: | TO-5 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 封装/箱体: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 工作温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 频率 - 转换: | - |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 1000V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 30 @ 20mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 10nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 200mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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