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1N4448TR

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4448TR
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型号 1N4448TR
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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(美元)		10000 pcs30000 pcs50000 pcs100000 pcs250000 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 正向（Vf）（最大）:1V @ 100mA
电压 - （Vr）（最大）:100V
供应商设备封装:DO-35
速度:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
系列:-
反向恢复时间（trr）:4ns
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:DO-204AH, DO-35, Axial
其他名称:1N4448TRTR
1N4448TRTR-ND
工作温度 - 结:175°C (Max)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:22 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
二极管类型:Standard
详细说明:Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
电流 - Vr时反向漏电:5µA @ 75V
电流 - 平均整流（Io）:200mA
电容@ Vr，F时:2pF @ 0V, 1MHz
基础部件号:1N4448
Email:info@cjjhk.com

介绍

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