1N3600

NTE Electronics

1N3600
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型号 1N3600
制造商 NTE Electronics
描述 Diode Silicon Vrwm=50V IO=200mA DO-35 Case Ultra Fast Switching Suitable For Pulse Applications
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
有现货 37699 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 正向(Vf)(最大):1V @ 200mA
电压 - (Vr)(最大):50V
供应商设备封装:DO-35
速度:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
系列:-
反向恢复时间(trr):4ns
封装:Bulk
封装/箱体:DO-204AH, DO-35, Axial
工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:6 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
二极管类型:Standard
详细说明:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
电流 - Vr时反向漏电:100nA @ 50V
电流 - 平均整流(Io):200mA
电容@ Vr,F时:-
Email:info@cjjhk.com

介绍

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